参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPD06N03LB G
说明	功率MOSFET   TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	514 [库存更新时间：2025-04-02]
25°C时电流-连续漏极(Id)	50A(Tc)
FET类型	N 通道
Vgs(最大值)	±20V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)	6.1 毫欧 @ 50A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值)	2V @ 40uA
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	2800pF @ 15V
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值)	22nC @ 5V
功率耗散(最大值)	83W(Tc)
封装/外壳	TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
技术	MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)	30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)	4.5V,10V